參數(shù)資料
型號： FMS6G15US60S
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Compact & Complex Module
中文描述： 15 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 25PM-AA, 25 PIN
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 754K
代理商： FMS6G15US60S
5
www.fairchildsemi.com
FMS6G15US60S Rev. B1
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Typical Output Characteristics
Characteristics
Figure 2. Typical Saturation Voltage
Figure 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Figure 4. Transient Thermal Impedance
Figure 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Figure 6. Saturation Voltage vs. V
GE
1
10
0
10
20
30
40
50
Common Emitter
V
GE
= 15 V
T
C
= 25
℃ ℃℃
T
C
= 125
------
℃
C
o
u
C
]
C
ollector - Em
itter Voltage, V
C
E
[V]
0
2
4
6
8
0
10
20
30
40
50
60
Common Emitter
T
C
= 25
o
C
20 V
15 V
12 V
V
G
E
= 10 V
C
o
u
C
]
C
ollector - Em
itter Voltage, V
C
E
[V]
-50
0
50
100
150
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
Common Emitter
V
GE
= 15V
30 A
15 A
I
C
= 8 A
C
o
i
C
E
C
ase Tem
perature, T
C
[
o
C
]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
0.1
1
10
Single Pulse
(Thermal Response)
FR
D
IG
B
T
T
/
℃
Rectangular Pulse Duration [sec]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 25
℃
30A
15A
I
C
= 7A
C
o
i
C
E
(
G
ate - Em
itter Voltage, V
G
E
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 125
℃
30A
15A
I
C
= 7A
C
o
i
C
E
G
ate - Em
itter Voltage, V
G
E
[V]
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