參數(shù)資料
型號(hào): FP15R12KT3
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類(lèi): IGBT 晶體管
英文描述: IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
中文描述: 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-24
文件頁(yè)數(shù): 6/11頁(yè)
文件大小: 305K
代理商: FP15R12KT3
6
Technische Information / technical information
FP15R12KT3
IGBT-Module
IGBT-modules
prepared by: Andreas Schulz
approved by: Robert Severin
date of publication: 2003-12-2
revision: 2.1
Vorlufige Daten
preliminary data
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I = f (V)
V = 15 V
V [V]
I
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
30
27
24
21
18
15
12
9
6
3
0
TY = 25°C
TY = 125°C
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I = f (V)
TY = 125°C
V [V]
I
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
30
27
24
21
18
15
12
9
6
3
0
V = 19 V
V = 17 V
V = 15 V
V = 13 V
V = 11 V
V = 9 V
übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)
I = f (V)
V = 20 V
V [V]
I
5
6
7
8
9
10
11
12
30
27
24
21
18
15
12
9
6
3
0
TY = 25°C
TY = 125°C
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-inverter (typical)
Eóò = f (I), Eó = f (I)
V = ±15 V, Róò = 75 , Ró = 75 , V = 600 V,
TY = 125°C
I [A]
E
0
5
10
15
20
25
30
7
6
5
4
3
2
1
0
Eóò
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FP15R12W1T3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 25A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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FP15R12W1T4_B11 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 15A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP15R12W1T4_B3 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 15A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: