參數(shù)資料
型號： FP25F
廠商： VOLTAGE MULTIPLIERS INC
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： High Voltage Rectifier Stacks
中文描述： 2.2 A, 2500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 74K
代理商： FP25F
31
www.voltagemultipliers.com
www.highvoltagepowersupplies.com
Dimensions: In. (mm) All temperatures are ambient unless otherwise noted. Data subject to change without notice.
TEL.
FAX
559-651-1402
559-651-0740
VOLTAGE MULTIPLIERS INC.
8711 W. Roosevelt Ave.
Visalia, CA 93291
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High Voltage Rectifier Stacks
0.5A - 2.2A 70ns - 150ns Axial Leaded
ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS
(1)Trr Testing: If=0.5mA, Ir=1.0A, Irr=0.25A *Op. Temp.= -55°C to +150°C Stg. Temp.= -55°C to +150°C
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FP50F High Voltage Rectifier Stacks
FP75F High Voltage Rectifier Stacks
FP100S 2,500 V - 10,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 3000 ns Recovery Time
FP25S 2,500 V - 10,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 3000 ns Recovery Time
FP50S 2,500 V - 10,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 3000 ns Recovery Time
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FP25R12KE3 功能描述:IGBT 模塊 1200V 25A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP25R12KE3V1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module
FP25R12KS4C 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 25A PIM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FP25R12KS4CV2 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module
FP25R12KT3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 40A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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