參數(shù)資料
型號： FQB14N30
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 300V N-Channel MOSFET
中文描述： 14.4 A, 300 V, 0.29 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 788K
代理商： FQB14N30
!"
!
"
#$
%#&
'
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQI14N30 300V N-Channel MOSFET
FQI16N25 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V的N溝道增強型MOS場效應(yīng)管)
FQI17N08L 80V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V的邏輯N溝道增強型MOS場效應(yīng)管)
FQI17P10 100V P-Channel MOSFET
FQI17N08 80V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQB14N30TM 功能描述:MOSFET 300V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB15P12 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:120V P-Channel MOSFET
FQB15P12TM 功能描述:MOSFET 120V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB16N15 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:150V N-Channel MOSFET
FQB16N15TM 功能描述:MOSFET 150V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*