參數(shù)資料
型號(hào)： FQB1N60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 600V N-Channel MOSFET(漏源電壓為600V的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 1.2 A, 600 V, 11.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 545K
代理商： FQB1N60
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, April 2000
Package Dimensions
10.00
±
0.20
10.00
±
0.20
(8.00)
(4.40)
1.27
±
0.10
0.80
±
0.10
0.80
±
0.10
(2XR0.45)
9.90
±
0.20
4.50
±
0.20
0.10
±
0.15
2.40
±
0.20
2
±
0
1
±
0
9
±
0
4
±
0
1
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0
2
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(
(
(
0
°
~3
°
0.50
+0.10
1
±
0
9
±
0
1
±
0
4
±
0
(
2.54 TYP
2.54 TYP
1.30
+0.10
–0.05
–0.05
D
2
PAK
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PDF描述
FQI1P50 500V P-Channel MOSFET
FQI20N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET
FQB20N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET
FQI20N06 60V N-Channel MOSFET
FQB20N06 60V N-Channel MOSFET
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參數(shù)描述
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