參數(shù)資料
型號: FQB22P10TM_F085
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 4/8頁
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描述: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
產(chǎn)品目錄繪圖: D2PAK, TO-263AB Pkg
標準包裝: 1
系列: QFET™
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 22A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 125 毫歐 @ 11A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1500pF @ 25V
功率 - 最大: 3.75W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝: D²PAK
包裝: 標準包裝
其它名稱: FQB22P10TM_F085DKR