參數(shù)資料
型號(hào)： FQB32N12V2
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 120V N-Channel MOSFET
中文描述： 32 A, 120 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大?。?/td> 649K
代理商： FQB32N12V2
Rev. A, December 2003
F
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
1 0
-5
1 0
-4
1 0
-3
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
1 0
1
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
※
N o te s :
1 . Z
θ
2 . D uty F a ctor, D = t
1
/t
2
3 . T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
(t) = 1 .0
℃
/W M a x.
JC
(t)
sin g le p u lse
D = 0 .5
0 .0 2
0 .0 1
0 .2
0 .0 5
0 .1
Z
θ
J
(
t
1
, S q u a re W a ve P u ls e D u ra tio n [s e c ]
Typical Characteristics
(Continued)
t
1
P
DM
t
2
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
※
Notes :
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 16 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
10
0
10
1
10
2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
DC
10 ms
1 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
※
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
J
= 175
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
30
35
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
℃
]
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQI32N20C 200V N-Channel MOSFET
FQB32N20C 200V N-Channel MOSFET
FQI4N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQI4P25 250V P-Channel MOSFET
FQI50N06 60V N-Channel MOSFET
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參數(shù)描述
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FQB32N20C 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET
FQB32N20CTM 功能描述:MOSFET NCH/200V 32A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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