參數(shù)資料
型號: FQB3N40
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強型MOSFET)
中文描述: 2.5 A, 400 V, 3.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263
封裝: D2PAK-3
文件頁數(shù): 1/9頁
文件大?。?/td> 733K
代理商: FQB3N40
QFET
! "
# !
! !
"""
$ % &'())*+
$ 012 )3
$ 01( %3
$
$ /))4!
$ 5!!6"
,- (
.*
,/)*
! "
!
!
!
"
"
*
*
())
*
5
1
,%&73
% &
'
1
,/))73
/ &8
'
5
9
/)
±
-)
'
*
:*
*
;
9'!;
/%)
<
5
'!
% &
'
;
+!'!;
& &
<
!6
9=+!!6
91
( &
*6
9
,%&73>
- /-
91
,%&73
&&
"!%&7
) ((
67
+
&&@/&)
7
A
/68 &
-))
7
+
θ
+
θ
+
θ
+<
% %B
7
+<'">
()
7
+<'"
2% &
7
相關PDF資料
PDF描述
FQI3N40 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強型MOSFET)
FQB3N60 600V N-Channel MOSFET
FQI3N60 600V N-Channel MOSFET
FQB3N80 800V N-Channel MOSFET
FQI3N80 800V N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FQB3N40TM 功能描述:MOSFET N-CH/400V/2.5A/3.4OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB3N60 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET
FQB3N60C 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET
FQB3N60C_0605 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET
FQB3N60CTM 功能描述:MOSFET N-CH/400V/ .5A/3.4OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube