參數(shù)資料
型號： FQB4N20L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 200V LOGIC N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
中文描述： 3.8 A, 200 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大?。?/td> 712K
代理商： FQB4N20L
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQB4N20 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQI4N20 200V N-Channel MOSFET
FQB4N25 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQI4N25 250V N-Channel MOSFET
FQB4N50 500V N-Channel MOSFET(漏源電壓為500V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQB4N20LTM 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB4N20TM 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB4N25 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET
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FQB4N50 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
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