參數(shù)資料
型號： FQB55N10
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 100V N-Channel MOSFET
中文描述： 55 A, 100 V, 0.026 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： ROHS COMPLIANT, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 671K
代理商： FQB55N10
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, July 2000
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FQB5N15TM 功能描述:MOSFET N-CH/150V/5.3A/0.78OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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