參數(shù)資料
型號： FQB5N60C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 600V N-Channel MOSFET
中文描述： 4.5 A, 600 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大小： 621K
代理商： FQB5N60C
Rev. A, October 2003
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
100 ms
DC
10 ms
1 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limted by R
DS(on)
※
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
(Continued)
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
℃
]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
※
Notes :
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 2.25 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
1 0
-5
1 0
-4
1 0
-3
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
1 0
1
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
※
N o te s :
1 . Z
θ
2 . D u ty F a c to r, D = t
1
/t
2
3 . T
J M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
(t) = 1 .2 5
℃
/W M a x.
JC
(t)
sin g le p u lse
D = 0 .5
0 .0 2
0 .0 1
0 .2
0 .0 5
0 .1
Z
θ
J
(
t
1
, S q u a re W a v e P u ls e D u ra tio n [s e c ]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
t
1
P
DM
t
2
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
相關PDF資料
PDF描述
FQI60N03L 30V LOGIC N-Channel MOSFET(漏源電壓為30V的邏輯N溝道增強型MOSFET)
FQI630 200V N-Channel MOSFET
FQB630 200V N-Channel MOSFET
FQI65N06 60V N-Channel MOSFET
FQB65N06 60V N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FQB5N60CTM 功能描述:MOSFET N-CH/600V/5A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB5N60CTM_WS 功能描述:MOSFET 600V,4.5A NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB5N60TM 功能描述:MOSFET 600V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB5N80 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET
FQB5N80TM 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*