型號: | FQD12N20 |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 200V N-Channel MOSFET |
中文描述: | 9 A, 200 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
封裝: | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
文件頁數: | 9/9頁 |
文件大?。?/td> | 694K |
代理商: | FQD12N20 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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FQD12P10 | 100V P-Channel MOSFET |
FQU2N60 | 600V N-Channel MOSFET |
FQD2N60 | 600V N-Channel MOSFET(漏源電壓為600V的N溝道增強型MOS場效應管) |
FQU2N80 | 800V N-Channel MOSFET |
FQD2N80 | 800V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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FQD12N20L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET |
FQD12N20LTF | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQD12N20LTM | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQD12N20LTM_F085 | 功能描述:MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 9A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQD12N20TF | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |