型號: | FQD12P10 |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 100V P-Channel MOSFET |
中文描述: | 9.4 A, 100 V, 0.29 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
封裝: | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
文件頁數(shù): | 2/9頁 |
文件大?。?/td> | 694K |
代理商: | FQD12P10 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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FQU2N60 | 600V N-Channel MOSFET |
FQD2N60 | 600V N-Channel MOSFET(漏源電壓為600V的N溝道增強型MOS場效應管) |
FQU2N80 | 800V N-Channel MOSFET |
FQD2N80 | 800V N-Channel MOSFET |
FQU2N90 | 900V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FQD12P10TF | 功能描述:MOSFET 100V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQD12P10TF_NB82105 | 功能描述:MOSFET P-CH/100V/9.7A 0.29OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQD12P10TM | 功能描述:MOSFET 100V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQD12P10TM_AS004 | 功能描述:MOSFET P-CH/100V/12A/Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQD12P10TM_F085 | 功能描述:MOSFET P-CH/100V/Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |