| 型號： | FQD2N60CTF |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK |
| 產(chǎn)品變化通告： | Passivation Material Change 14/May/2008 |
| 標準包裝： | 2,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 600V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 1.9A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.7 歐姆 @ 950mA，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 235pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 |
| 供應商設備封裝： | D-Pak |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |