參數資料
型號: FQD2P40
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 400V P-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的P溝道增強型MOS場效應管)
中文描述: 1.56 A, 400 V, 6.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝: DPAK-3
文件頁數: 6/9頁
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代理商: FQD2P40
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A2, December 2000
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
(N-Channel)
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Compliment of DUT
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
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PDF描述
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參數描述
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FQD2P40TM 功能描述:MOSFET 400V P-ChannelQFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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