參數(shù)資料
型號： FQD4N50
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 500V N-Channel MOSFET(漏源電壓為500V、漏電流為2.6A的N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 2.6 A, 500 V, 2.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： ROHS COMPLIANT, DPAK-3
文件頁數(shù)： 2/9頁
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代理商： FQD4N50
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQU4N50 500V N-Channel MOSFET
FQD4P25 250V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-250V、漏電流為3.1A的P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)
FQU4P25 250V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-250V、漏電流為3.1A的P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)
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FQU4P40 400V P-Channel MOSFET
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參數(shù)描述
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FQD4N50TM 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD4N50TM_WS 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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