參數(shù)資料
型號(hào): FQD9N15
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): JFETs
英文描述: 150V N-Channel MOSFET
中文描述: 7 A, 150 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝: DPAK-3
文件頁(yè)數(shù): 1/9頁(yè)
文件大?。?/td> 764K
代理商: FQD9N15
QFET
! "
# !
! !
!
$ !
% & '()*'+,
% 01)'2
% 01)&2
%
% )''3!
% 4!!$"
-' .
/+
-)'+
+
+
)*'
+
4
1
-5*62
& '
(
1
-)''62
. .
(
4
7
58
±
5*
(
+
9+
+
:
7(!:
8'
;
4
(!
& '
(
:
,!(!:
. *
;
!$
7<,!!$
71
* *
+$
7
-5*62=
5 *
>
71
-5*62
.*
>
"!5*6
' @
>$6
,
**A)*'
6
B
)$8 *
''
6
,
θ
,
θ
,
θ
,;
5 &8
6
>
,;("=
*'
6
>
,;("
))'
6
>
! "
!
!
!
"
"
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQU9N25 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V、漏電流為7.4A的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
FQD9N25 250V N-Channel MOSFET
FR-159 FAILURE REPORT
FR01010EPL A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS
FR01020EPL A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQD9N15TM 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD9N25 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D-PAK
FQD9N25TF 功能描述:MOSFET 250V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD9N25TM 功能描述:MOSFET 250V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD9N25TM_F080 功能描述:MOSFET Trans MOS N-Ch 250V 7.4A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube