參數(shù)資料
型號(hào)： FQI12N60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 600V N-Channel MOSFET
中文描述： 10.5 A, 600 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
封裝： I2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大?。?/td> 617K
代理商： FQI12N60
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, May 2002
F
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
※
Notes :
1. V
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
μ
s
DC
10 ms
1 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
※
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
※
N otes :
(t) = 0.70
℃
/W M ax.
2. D uty Factor, D =t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
single pulse
D =0.5
0.02
0.01
0.2
0.05
0.1
Z
θ
J
(
t
1
, S quare W ave P ulse D uration [sec]
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
12
14
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
℃
]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
t
1
P
DM
t
2
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
※
Notes :
1. V
= 10 V
2. I
D
= 6.05 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQI12P10 100V P-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的P溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQI12P20 200V P-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的P溝道增強(qiáng)型MOSFET)
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FQB13N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET
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參數(shù)描述
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