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參數(shù)資料
| 型號： | FQI14N15 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 150V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 14.4 A, 150 V, 0.21 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262 |
| 封裝： | I2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 788K |
| 代理商： | FQI14N15 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQB14N15 | 150V N-Channel MOSFET |
| FQB14N30 | 300V N-Channel MOSFET |
| FQI14N30 | 300V N-Channel MOSFET |
| FQI16N25 | 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V的N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQI17N08L | 80V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V的邏輯N溝道增強型MOS場效應管) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQI14N30 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET |
| FQI15P12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:120V P-Channel MOSFET |
| FQI15P12TU | 功能描述:MOSFET P-CH/120V/15A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI16N15 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:150V N-Channel MOSFET |
| FQI16N15TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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