型號: | FQI22N30 |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V的N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管) |
中文描述: | 21 A, 300 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | I2PAK-3 |
文件頁數(shù): | 1/9頁 |
文件大小: | 773K |
代理商: | FQI22N30 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FQI26N03L | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-263 |
FQI30N06L | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-262AA |
FQI33N10 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-262AA |
FQB33N10 | 100V N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管) |
FQI33N10 | 100V N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FQI22N30TU | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQI22P10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V P-Channel MOSFET |
FQI24N08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V N-Channel MOSFET |
FQI26N03L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-263 |
FQI26N03LTU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |