- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371743 > FQI30N06L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-262AA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | FQI30N06L |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-262AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 32A條（?。﹟對262AA |
| 文件頁數(shù)： | 8/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 630K |
| 代理商： | FQI30N06L |
F
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1. May 2001
Package Dimensions
(Continued)
9.90
±
0.20
2.40
±
0.20
4.50
±
0.20
1.27
±
0.10
1.47
±
0.10
(45
°
)
0.80
±
0.10
10.00
±
0.20
2.54 TYP
2.54 TYP
1
±
0
9
±
0
1
±
0
1
±
0
M
M
(
(
(
1.30
+0.10
–
0.05
0.50
+0.10
–
0.05
I
2
PAK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQI33N10 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-262AA |
| FQB33N10 | 100V N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的N溝道增強型MOS場效應(yīng)管) |
| FQI33N10 | 100V N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的N溝道增強型MOS場效應(yīng)管) |
| FR20 | 2.0 Amp FAST RECOVERY PLASTIC RECTIFIERS |
| FR210 | 2.0 Amp FAST RECOVERY PLASTIC RECTIFIERS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQI30N06LTU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI32N12V2 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:120V N-Channel MOSFET |
| FQI32N12V2TU | 功能描述:MOSFET 120V N-Ch Adv QFET V2 series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI32N20C | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
| FQI32N20CTU | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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