參數(shù)資料
型號(hào)： FQI44N08
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 80V N-Channel MOSFET
中文描述： 44 A, 80 V, 0.034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262
封裝： I2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大小： 673K
代理商： FQI44N08
F
Rev. A, August 2000
2000 Fairchild Semiconductor International
0
10
20
30
40
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 40V
V
DS
= 64V
※
Note : I
D
= 44A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
10
-1
10
0
10
1
10
2
175
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
℃
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
0
30
60
I
D
, Drain Current [A]
90
120
150
180
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
※
Note : T
J
= 25
℃
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
R
D
]
D
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
175
℃
25
℃
-55
℃
※
Notes :
1. V
DS
= 30V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
10
2
V
GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
※
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQI44N10 100V N-Channel MOSFET
FQB44N10 100V N-Channel MOSFET
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FQI45N03L 30V LOGIC N-Channel MOSFET(漏源電壓為30V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQB45N15V2 ENHANCED VGA/PS2/PS2 10FT CPU CABLE
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參數(shù)描述
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FQI44N10TU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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