參數(shù)資料
型號(hào): FQI5N15
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): JFETs
英文描述: 150V N-Channel MOSFET
中文描述: 5.4 A, 150 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262
封裝: I2PAK-3
文件頁(yè)數(shù): 9/9頁(yè)
文件大?。?/td> 765K
代理商: FQI5N15
@#
"6!@
8
H
!"
#
!!
!$%&'
H
()*
()+
(),
%&
%-&
.
/
(5,F50>5I,,>>,+>F>,5=F(J>F(=>B5FII,F>,5>(K
;,IF>,>55;,+>,>05(D505KI5,>5= (5,F50>(I>(K
05(D505K(,55=IF>(;;05(5,I>(K;,I,5,I5>,5D>F>,>5L
>5F>,>5+>K(K05>>I>,5;(>,5=F,F>,5=FF>,
(5,F50 ;,I (,> (IF,5E> , I> ( ,55(0 ;> 5 05> I;;,
>+5> , K> B5FI F> >M;,> B,5> (;;,+(0 (5,F50 >5I,
5>,(5(0
(N
) 0!!
12 "
1"22
! " ""6
7
8 (
!
"6
!!
"
! "#
$#$
"
(!5
!5
!
;
;
""
!@
!
5
;
!@
!
"
5;
""
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQB5N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQB5N30 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQI5N30 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQB5N40 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQI5N40 400V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQI5N15TU 功能描述:MOSFET 150V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI5N20 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET
FQI5N20L 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQI5N20LTU 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI5N20TU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube