- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄375885 > FQI70N08 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 80V N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FQI70N08 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 80V N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET) |
| 中文描述： | 70 A, 80 V, 0.017 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262 |
| 封裝： | I2PAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 672K |
| 代理商： | FQI70N08 |
F
Rev. A, August 2000
2000 Fairchild Semiconductor International
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 40V
V
DS
= 64V
※
Note : I
D
= 70A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
10
-1
10
0
10
1
10
2
175
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
℃
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
0
70
140
210
280
350
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
※
Note : T
J
= 25
℃
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
175
℃
25
℃
-55
℃
※
Notes :
1. V
DS
= 30V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
10
2
V
GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
※
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQI7N10L | 100V LOGIC N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOSFET) |
| FQI7N20L | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQB7N20L | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQI7P06 | 60V P-Channel MOSFET |
| FQB7P06 | 60V P-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQI70N08TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI70N10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V N-Channel MOSFET |
| FQI70N10TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI7N10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V N-Channel MOSFET |
| FQI7N10L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V LOGIC N-Channel MOSFET |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。