參數(shù)資料
型號： FQI7P20
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 200V P-Channel MOSFET
中文描述： 7.3 A, 200 V, 0.69 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262
封裝： I2PAK-3
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 713K
代理商： FQI7P20
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相關PDF資料
PDF描述
FQB85N06 60V N-Channel MOSFET
FQB8N25 250V N-Channel MOSFET
FQI8N25 250V N-Channel MOSFET
FQB8N60C 600V N-Channel MOSFET
FQI8N60C 600V N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FQI7P20TU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI85N06 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel MOSFET
FQI8N25 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET
FQI8N60C 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET
FQI8N60CTU 功能描述:MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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