參數(shù)資料
型號(hào): FQI90N08
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 80V N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
中文描述: 71 A, 80 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262
封裝: I2PAK-3
文件頁數(shù): 7/9頁
文件大小: 671K
代理商: FQI90N08
F
Rev. A, August 2000
2000 Fairchild Semiconductor International
Package Dimensions
10.00
±
0.20
10.00
±
0.20
(8.00)
(4.40)
1.27
±
0.10
0.80
±
0.10
0.80
±
0.10
(2XR0.45)
9.90
±
0.20
4.50
±
0.20
0.10
±
0.15
2.40
±
0.20
2
±
0
1
±
0
9
±
0
4
±
0
1
±
0
2
±
0
(
(
(
0
°
~3
°
0.50
+0.10
1
±
0
9
±
0
1
±
0
4
±
0
(
2.54 TYP
2.54 TYP
1.30
+0.10
–0.05
–0.05
D
2
PAK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQI95N03L 30V LOGIC N-Channel MOSFET(漏源電壓為30V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQI9N08L 80V LOGIC N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQB9N08L 80V LOGIC N-Channel MOSFET
FQI9N08 80V N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQI9N50C 500V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQI90N08TU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI95N03L 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 95A I(D) | TO-262AA
FQI95N03LTU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI9N08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V N-Channel MOSFET
FQI9N08L 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V LOGIC N-Channel MOSFET