參數(shù)資料
型號： FQI9N50C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 500V N-Channel MOSFET
中文描述： 9 A, 500 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： I2PAK-3
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大?。?/td> 609K
代理商： FQI9N50C
Rev. A, August 2003
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Package Dimensions
(Continued)
9.90
±
0.20
2.40
±
0.20
4.50
±
0.20
1.27
±
0.10
1.47
±
0.10
(45
°
)
0.80
±
0.10
10.00
±
0.20
2.54 TYP
2.54 TYP
1
±
0
9
±
0
1
±
0
1
±
0
M
M
(
(
(
1.30
+0.10
–
0.05
0.50
+0.10
–
0.05
I
2
PAK
Dimensions in Millimeters
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQB9N50C 500V N-Channel MOSFET
FQI9P25 250V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-250V的P溝道增強(qiáng)型MOSFET)
FQL40N50F 500V N-Channel MOSFET
FQL40N50 CAP 0.1UF 50V 20% X7R DIP-2 TUBE-PAK S-MIL-PRF-39014/22
FQL50N40 CAP 1200PF 100V 5% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK S-MIL-PRF-39014/22
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQI9N50CTU 功能描述:MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI9N50TU 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQI9P25 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V P-Channel MOSFET
FQI9P25TU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQL01AD2K 制造商:IDEC CORPORATION 功能描述:LASER PROX. 10-30 VDC NPN
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