參數(shù)資料
型號: FQP2N90
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 900V N-Channel MOSFET
中文描述: 2.2 A, 900 V, 7.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/8頁
文件大?。?/td> 744K
代理商: FQP2N90
QFET
! "
# !
! !
$ % %&'(()*
$ /0.%1
$ /02 21
$
$ .((3!
$ 4!!5"
+, %
-)
+.()
)
)
'((
)
4
0
+%261
% %
&
0
+.((61
. 7'
&
4
8
9 9
±
7(
&
)
:)
)
;
8&!;
.,(
<
4
&!
% %
&
;
*!&!;
9 2
<
!5
8
8=*!!5
80
> (
)5
+%261
92
"!%26
( @9
56
*
22A.2(
6
B
.59 2
7((
6
*
θ
*
θ
*
θ
*<
. >,
6
*=
( 2
6
*<&"
@% 2
6
! "
!
!
!
"
"
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQP2NA90 900V N-Channel MOSFET
FQP2P25 250V P-Channel MOSFET
FQP2P40 400V P-Channel MOSFET
FQP30N06 60V N-Channel MOSFET
FQP30N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQP2N90_Q 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP2NA90 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP2P25 功能描述:MOSFET 250V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP2P40 功能描述:MOSFET 400V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP30N06 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube