參數(shù)資料
型號(hào): FQPF8N80C
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 1/11頁
文件大?。?/td> 0K
描述: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: High Voltage Switches for Power Processing
產(chǎn)品變化通告: Design/Process Change Notification 26/June/2007
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 50
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 8A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.55 歐姆 @ 4A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2050pF @ 25V
功率 - 最大: 59W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-220F
包裝: 管件