參數(shù)資料
型號(hào)： FQS4410
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： Single N-Channel, Logic Level, Power MOSFET
中文描述： 10 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOP-8
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 598K
代理商： FQS4410
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, May 2000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 15V
V
DS
= 24V
※
Note : I
D
= 10A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Note ;
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
0
10
1
V
GS
Top : 10.0 V
8.0 V
6.0 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
Bottom : 3.0 V
※
Note :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
10
-1
10
0
10
1
150
℃
25
℃
-55
℃
※
Note
1. V
DS
= 10V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
Figure 1. Output Characteristics
0
10
20
30
40
50
0
10
20
30
40
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
※
Note : T
J
= 25
℃
R
D
Ω
D
I
D
, Drain Current [A]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
10
-1
10
0
10
1
150
℃
※
Note :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
℃
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
Figure 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
Figure 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQS4900 Dual N & P-Channel, Logic Level MOSFET
FQS4901 400V Dual N-Channel MOSFET
FQS4903 500V Dual N-Channel MOSFET
FQT13N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET
FQT13N06 60V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQS4410TF 功能描述:MOSFET 30V N-Channel Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQS4900 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P-Channel, Logic Level MOSFET
FQS4900TF 功能描述:MOSFET N-Ch 60V/ P-Ch 300V Dual QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQS4900TF_Q 功能描述:MOSFET N-Ch 60V/ P-Ch 300V Dual QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQS4901 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:400V Dual N-Channel MOSFET
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