型號(hào): | FQU10N20L |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
中文描述: | 7.6 A, 200 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
封裝: | IPAK-3 |
文件頁(yè)數(shù): | 5/9頁(yè) |
文件大?。?/td> | 576K |
代理商: | FQU10N20L |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FQU12N20 | 200V N-Channel MOSFET |
FQU12N20L | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
FQU12P10 | 100V P-Channel MOSFET |
FQD12N20 | 200V N-Channel MOSFET |
FQD12P10 | 100V P-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FQU10N20TU | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQU10N20TU_AM002 | 功能描述:MOSFET 200V 7.6A 0.36Ohm N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQU11P06 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P CH 60V 9.4A I-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, P CH, 60V, 9.4A, I-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -60V, 9.4A, IPAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:9.4A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):185mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V ;RoHS Compliant: Yes |
FQU11P06 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P I-PAK |