參數(shù)資料
型號： FQU19N10
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 100V N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V、漏電流為5.6A的N溝道增強型MOS場效應管)
中文描述： 15.6 A, 100 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
封裝： ROHS COMPLIANT, IPAK-3
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 589K
代理商： FQU19N10
F
Rev. A, August 2000
2000 Fairchild Semiconductor International
Package Dimensions
6.60
±
0.20
2.30
±
0.10
0.50
±
0.10
5.34
±
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0
±
0
0
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0
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6
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M
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0
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±
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2.30TYP
[2.30
±
0.20]
MAX0.96
(4.34)
(0.50)
(0.50)
DPAK
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PDF描述
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FQU19N10TU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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