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參數(shù)資料
| 型號： | FQU3P50 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 500V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-500V、漏電流為2.1A的P溝道增強型MOS場效應管) |
| 中文描述： | 2.1 A, 500 V, 4.9 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, IPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 6/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 638K |
| 代理商： | FQU3P50 |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, August 2000
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
(N-Channel)
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Compliment of DUT
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD45N03L | N-Channel Logic Level PWM Optimized Power MOSFET |
| FQD4N20L | 200V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V、漏電流為3.2A的邏輯N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQD4N25 | 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V、漏電流為3.0A的N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQU4N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FQD4N50 | 500V N-Channel MOSFET(漏源電壓為500V、漏電流為2.6A的N溝道增強型MOS場效應管) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQU3P50TU | 功能描述:MOSFET 500V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU45N03L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262AA |
| FQU45N03LTU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU4N20 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
| FQU4N20L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET |
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