參數(shù)資料
型號(hào)： FQU45N03L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 30V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為30V、漏電流 為30A的邏輯N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 30 A, 30 V, 0.031 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： IPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 7/9頁(yè)
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代理商： FQU45N03L
6.60
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0.20
2.30
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0.10
0.50
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0.10
5.34
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0.30
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9
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0
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0.76
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0.10
0.50
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0.10
1.02
±
0.20
2.30
±
0.20
6.60
±
0.20
(5.34)
(5.04)
0.76
±
0.10
(1.50)
(2XR0.25)
0
±
0
(
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(
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0
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0
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
2.30TYP
[2.30
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0.20]
MAX0.96
(4.34)
(0.50)
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQU4N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQU4N20 200V N-Channel MOSFET
FQD4N20 200V N-Channel MOSFET
FQU5N20 200V N-Channel MOSFET
FQD5N20 200V N-Channel MOSFET
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參數(shù)描述
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FQU4N20 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET
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FQU4N20TU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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