參數(shù)資料
型號： FQU4N20L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 200V LOGIC N-Channel MOSFET
中文描述： 3.2 A, 200 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
封裝： IPAK-3
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 519K
代理商： FQU4N20L
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A2, December 2000
Package Dimensions
6.60
±
0.20
2.30
±
0.10
0.50
±
0.10
5.34
±
0.30
0
±
0
0
±
0
0
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0
9
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0
6
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0
2
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9
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0
6
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0
2
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0
M
0.76
±
0.10
0.50
±
0.10
1.02
±
0.20
2.30
±
0.20
6.60
±
0.20
(5.34)
(5.04)
0.76
±
0.10
(1.50)
(2XR0.25)
0
±
0
(
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0
2.30TYP
[2.30
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0.20]
2.30TYP
[2.30
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0.20]
MAX0.96
(4.34)
(0.50)
(0.50)
DPAK
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PDF描述
FQU4N20 200V N-Channel MOSFET
FQD4N20 200V N-Channel MOSFET
FQU5N20 200V N-Channel MOSFET
FQD5N20 200V N-Channel MOSFET
FQU5N50 500V N-Channel MOSFET(漏源電壓為500V、漏電流為3.5A的N溝道增強型MOS場效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
FQU4N20LTU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU4N20TU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU4N25 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET
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