參數(shù)資料
型號： FQU7N20
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 200V N-Channel MOSFET
中文描述： 5.3 A, 200 V, 0.69 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
封裝： IPAK-3
文件頁數(shù)： 5/9頁
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代理商： FQU7N20
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQD7N20 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V、漏電流為5.3A的N溝道增強型MOS場效應(yīng)管)
FQU8N25 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V、漏電流為6.2A的N溝道增強型MOS場效應(yīng)管)
FQD8N25 250V N-Channel MOSFET
FQU8P10 100V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-100V、漏電流為6.6A的P溝道增強型MOS場效應(yīng)管)
FQU9N08L 80V Logic N-Channel MOSFET(漏源電壓為80V、漏電流為7.4A的邏輯N溝道增強型MOS場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQU7N20L 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQU7N20L_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQU7N20LTU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU7N20TU 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU7N30 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET
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