參數(shù)資料
型號(hào)： FQU7N20L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 200V LOGIC N-Channel MOSFET
中文描述： 5.5 A, 200 V, 0.78 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
封裝： ROHS COMPLIANT, IPAK-3
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 570K
代理商： FQU7N20L
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A2, December 2000
10
-1
10
0
10
1
0
200
400
600
800
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
10
-1
10
0
10
1
150
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
℃
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
0
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
150
℃
25
℃
-55
℃
※
Notes :
1. V
DS
= 30V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
V
GS
Top : 10 V
8.0 V
6.0 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
Bottom : 3.0 V
※
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
3
6
9
12
15
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 100V
V
DS
= 160V
V
DS
= 40V
※
Note : I
D
= 6.5 A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
0
3
6
9
12
15
0
1
2
3
4
※
Note : T
J
= 25
℃
V
GS
= 5V
V
GS
= 10V
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQU7N20 200V N-Channel MOSFET
FQD7N20 200V N-Channel MOSFET(漏源電壓為200V、漏電流為5.3A的N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)
FQU8N25 250V N-Channel MOSFET(漏源電壓為250V、漏電流為6.2A的N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)
FQD8N25 250V N-Channel MOSFET
FQU8P10 100V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-100V、漏電流為6.6A的P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQU7N20L_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQU7N20LTU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU7N20TU 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU7N30 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET
FQU7P06 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel MOSFET
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