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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FRM5W232BS |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | Incorporates a 30 micron InGaAs Avalanche Photodiode |
| 中文描述： | 采用了30微米銦鎵砷雪崩光電二極管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 113K |
| 代理商： | FRM5W232BS |
2
InGaAs-APD/Preamp
Receiver
FRM5W232BS
Parameter
Symbol
OPTICAL & ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Tc=25
°
C,
λ
=1,310/1,550nm, VDD=+3.3V unless otherwise specified)
Unit
Limits
Typ.
0.85
Max.
-
Min.
0.8
Test Conditions
V
3.3
Power Supply Voltage
VDD
3.45
3.15
k
10
Thermistor Resistance
Rth
10.5
9.5
K
3900
Thermistor B Constant
B
4000
3800
mA
-
Power Supply Current
ISS
70
-
dB
-
Optical Return Loss
ORL
-
30
APD Responsivity
R15
A/W
1,550nm, M=1
R13
A/W
-
0.75
0.85
1,310nm, M=1
dBm
-32.0
-
-33.0
Ta=-40 to +85
°
C
2.5Gb/s, NRZ,
PRBS=2
23
-1, B.E.R.=10
-10,
Rext=-13dB,
VR is set at M=3,
Ta=-40 to +85
°
C
Sensitivity
Pr
dBm
-34.0
-33.0
-
2.5Gb/s, NRZ,
PRBS=2
23
-1, B.E.R.=10
-10,
Rext=-13dB, VR is set at
optimum value
Ta=25
°
C
Maximum Overload
Po
dBm
-
-5
-4
Bandwidth
BW
GHz
-
2.2
2.5
AC-Coupled, RL=50
,
M=10,
-3dBm from 1MHz
AC-Coupled, RL=50
,
Average in 1.8GHz
Equivalent Input Noise
Current Density
in
pA Hz
8.5
-
7.0
AC Transimpedance
Zt
k
-
-
2.0
AC-coupled, f=100MHz,
RL=50
Temperature Coefficient of VB
γ
V/
°
C
0.08
0.15
0.12
(Note 1)
APD Breakdown Voltage
VB
V
40
65
50
ID=10
μ
A
Note: (1)
γ
=
VB/
Tc
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| FRM9250H | 16A, -200V, 0.300 Ohm, Rad Hard, P-Channel Power MOSFETs |
| FRM9250R | 16A, -200V, 0.300 Ohm, Rad Hard, P-Channel Power MOSFETs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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