參數(shù)資料
型號： FS10KMJ-3
廠商： POWEREX INC
元件分類： JFETs
英文描述： Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
中文描述： 10 A, 150 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-220FN, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 41K
代理商： FS10KMJ-3
Feb.1999
FS10KMJ-3
OUTLINE DRAWING
Dimensions in mm
TO-220FN
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS10KMJ-3
HIGH-SPEED SWITCHING USE
APPLICATION
Motor control, Lamp control, Solenoid control
DC-DC converter, etc.
V
V
A
A
A
A
A
W
°
C
°
C
V
g
150
±
20
10
40
10
10
40
25
–55 ~ +150
–55 ~ +150
2000
2.0
V
GS
= 0V
V
DS
= 0V
L = 100
μ
H
AC for 1minute, Terminal to case
Typical value
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Drain current (Pulsed)
Avalanche drain current (Pulsed)
Source current
Source current (Pulsed)
Maximum power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Isolation voltage
Weight
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
DA
I
S
I
SM
P
D
T
ch
T
stg
V
iso
—
Symbol
MAXIMUM RATINGS
(Tc = 25
°
C)
Parameter
Conditions
Ratings
Unit
4V DRIVE
V
DSS ................................................................................
150V
r
DS (ON) (MAX) ...........................................................
160m
I
D .........................................................................................
10A
Integrated Fast Recovery Diode (TYP.)
.............
90ns
V
iso ................................................................................
2000V
1
±
1
±
10
±
0.3
2.8
±
0.2
f
3.2
±
0.2
1.1
±
0.2
1.1
±
0.2
0.75
±
0.15
2.54
±
0.25
2.54
±
0.25
2
±
4
±
0.75
±
0.15
3
±
3
±
6
±
1 2 3
q
GATE
w
DRAIN
e
SOURCE
E
w
q
e
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FS10KM HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS10KM-3 HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS10KMH-03 HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS10KM Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS10KM-3 Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FS10R06VE3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FS10R06VE3_B2 功能描述:IGBT 模塊 EASYPACK 750 15.0A 1.55V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FS10R06VL4_B2 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FS10R06VL4B2 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:IGBT-Module IGBT-modules
FS10R06XL4 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 17A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*