參數(shù)資料
型號： FS10R06VE3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
中文描述： 16 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-13
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 716K
代理商： FS10R06VE3
6
Technische Information / technical information
FS10R06VE3
IGBT-Module
IGBT-modules
Vorl
ufige Daten
preliminary data
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
300
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
0,001
0,01
0,1
1
10
0,1
1
10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FS10R06VL4B2 IGBT-Module IGBT-modules
FS10R12VT3 IGBT-Module IGBT-modules
FS10R12YT3 IGBT-Module IGBT-modules
FS10SM-10 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
FS10SM-10 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FS10R06VE3_B2 功能描述:IGBT 模塊 EASYPACK 750 15.0A 1.55V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FS10R06VL4_B2 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FS10R06VL4B2 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:IGBT-Module IGBT-modules
FS10R06XL4 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 17A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FS10R12VT3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*