參數(shù)資料
型號： FS10R12VT3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT-Module IGBT-modules
中文描述： 16 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-11
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 643K
代理商： FS10R12VT3
4
Technische Information / technical information
FS10R12VT3
IGBT-Module
IGBT-modules
Vorl
ufige Daten
preliminary data
0,0
0,4
0,8
1,2
1,6
2,0
2,4
2,8
3,2
3,6
4,0
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FS10R12YT3 IGBT-Module IGBT-modules
FS10SM-10 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
FS10SM-10 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
FS10SM-12 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
FS10SM-12 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FS10R12YE3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FS10R12YT3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FS10-RL-K4 制造商:SENSOPART 功能描述:SENSOR THRU BEAM TRANSMITTER LASER
FS10RM18A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR
FS10SM06 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*