型號(hào): | FS20KMA-5A |
廠商: | Powerex Power Semiconductors |
英文描述: | Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
中文描述: | N溝道功率MOSFET高速開(kāi)關(guān)使用 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/2頁(yè) |
文件大?。?/td> | 23K |
代理商: | FS20KMA-5A |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FS20SM-12 | 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
FS20SM-12 | 20 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
FS20SM-5 | HIGH-SPEED SWITCHING USE |
FS20SM-5 | Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
FS20SM-6 | HIGH-SPEED SWITCHING USE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FS20R06KFS | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 20A I(C) |
FS20R06KLS | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 20A I(C) |
FS20R06VE3 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FS20R06VE3_B2 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FS20R06W1E3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 35A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |