參數(shù)資料
型號(hào)： FS25R12YT3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT-modules
中文描述： 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-22
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 277K
代理商： FS25R12YT3
6
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS25R12YT3
prepared by: Peter Kanschat
approved by: Ralf Keggenhoff
date of publication: 2003-5-7
revision: 2.0
Vorlufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
Etê = f (I)
Róò = 30 , V = 600 V, TY = 125°C
I [A]
E
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
Etê
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
Etê = f (R)
I = 25 A, V = 600 V, TY = 125°C
R []
E
0
40
80
120
160
200
2,4
2,2
2,0
1,8
1,6
1,4
1,2
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
Etê
Transienter Wrmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
Zúì = f (t)
t [s]
Z
0,001
0,01
0,1
1
10
0,01
0,1
1
10
Zúì: Diode
i:
rí[K/W]:
í[s]:
τ
1
0,114
0,0002952
2
0,38
0,0044276
3
1,064
0,1053625
4
0,342
0,1391219
NTC-Temperaturkennlinie (typisch)
NTC-temperature characteristic (typical)
R = f (T)
T [°C]
R
0
20
40
60
80
100
120
140
160
100
1000
10000
100000
Rúá
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