參數(shù)資料
型號： FS300R12KE3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Technische Information / technical information
中文描述： 500 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ECONOPACK-29
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 259K
代理商： FS300R12KE3
Technische Information / technical information
FS300R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorlufige Daten
preliminary data
min.
typ.
max.
-
250
-
ns
-
300
-
ns
-
90
-
ns
-
95
-
ns
-
550
-
ns
-
650
-
ns
-
130
-
ns
-
160
-
ns
-
1,65
2,1
V
-
1,65
t.b.d.
V
-
210
-
A
-
270
-
A
-
30
-
μQ
-
57
-
μQ
-
14
-
mJ
-
26
-
mJ
V
R
= 600V, V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
t
d,on
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I
C
= I
C, nom
, V
CC
= 600V
t
r
V
R
= 600V, V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C
I
F
=I
C,nom
, -di
F
/dt= 3500A/μs
Durchlassspannung
forward voltage
Charakteristische Werte / characteristic values
I
F
= I
C, nom
, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
I
F
= I
C, nom
, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
Einschaltverzgerungszeit (induktive Last)
turn on delay time (inductive load)
V
GE
= ±15V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 125°C
Abschaltverzgerungszeit (induktive Last)
turn off delay time (inductive load)
V
R
= 600V, V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C
V
F
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
RM
-
-
t
f
V
GE
= ±15V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 125°C
I
C
= I
C, nom
, V
CC
= 600V
-
22
I
C
= I
C, nom
, V
CC
= 600V
V
GE
= ±15V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 25°C
m
Charakteristische Werte / characteristic values
E
on
I
C
= I
C, nom
, V
CC
= 600V, L
σ
= 80nH
V
GE
= ±15V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 125°C
t
d,off
V
GE
= ±15V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 125°C
I
C
= I
C, nom
, V
CC
= 600V
-
mJ
-
mJ
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip
R
CC′/EE′
T
c
= 25°C
20
turn off energy loss per pulse
E
off
I
C
= I
C, nom
, V
CC
= 600V, L
σ
= 80nH
V
GE
= ±15V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 125°C
t
P
≤
10μsec, V
GE
≤
15V, T
Vj
≤
125°C
-
43
Diode Wechselrichter / diode inverter
1,1
Q
r
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
E
rec
V
R
= 600V, V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C
I
F
=I
C,nom
, -di
F
/dt= 3500A/μs
-
nH
stray inductance module
Modulindiktivitt
L
σ
CE
-
SC data
V
CC
= 900V, V
CEmax
= V
CES
- L
σ
CE
·di/dt
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn on energy loss per pulse
Ausschaltverlustenergie pro Puls
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
V
GE
= ±15V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
= 2,4
, T
vj
= 125°C
Kurzschlussverhalten
I
SC
-
1200
-
A
Sperrverzgerungsladung
recoverred charge
I
F
=I
C,nom
, -di
F
/dt= 3500A/μs
2 (8)
Datenblatt_FS300R12KE3_V3.xls
2001-08-16
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FS300R12OE4BOSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
FS300R16KF4 功能描述:IGBT 模塊 1600V 300A F/DIODE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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