參數(shù)資料
型號(hào): FSAM30SM60A
廠(chǎng)商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): 運(yùn)動(dòng)控制電子
英文描述: SPMTM (Smart Power Module) General Description
中文描述: AC MOTOR CONTROLLER, 60 A, DMA32
文件頁(yè)數(shù): 12/16頁(yè)
文件大小: 2335K
代理商: FSAM30SM60A
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. E, August 2003
P1 : Normal operation - IGBT ON and conducting current
P2 : Short-Circuit current detection
P3 : IGBT gate interrupt / Fault signal generation
P4 : IGBT is slowly turned off
P5 : IGBT OFF signal
P6 : IGBT ON signal - but IGBT cannot be turned on during the fault Output activation
P7 : IGBT OFF state
P8 : Fault Output reset and normal operation start
Fig. 12. Short-Circuit Current Protection (Low-side Operation only)
Internal IGBT
Gate-Emitter Voltage
Input Signal
Output Current
Sensing Voltage
Fault Output Signal
P1
P2
P3
P4
P6
P5
P7
P8
SC Reference
Voltage (0.5V)
RC Filter Delay
SC Detection
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FSAM50SM60A SPMTM (Smart Power Module)
FSAM75SM60A SPMTM (Smart Power Module)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FSAM30SM60SL 功能描述:IGBT 模塊 600V/30A Smart Power RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FSAM50SM60A 功能描述:IGBT 晶體管 600V -50A SMART POWER MODULE RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FSAM75SM60A 功能描述:IGBT 模塊 600V -75A SMART POWER MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FSAM75SM60SL 功能描述:IGBT 模塊 600V/75A Smart Power RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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