參數(shù)資料
型號： FSL110R1
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 3.5A, 100V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs
中文描述： 3.5 A, 100 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF
封裝： HERMETIC SEALED, METAL CAN, TO-205AF, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： FSL110R1
4-5
FIGURE 8. UNCLAMPED INDUCTIVE SWITCHING
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 9. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 10. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
FIGURE 11. RESISTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
FIGURE 12. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
10
1
0.01
t
AV
, TIME IN AVALANCHE (ms)
I
A
,
IF R
≠
0
t
AV
= (L/R) ln [(I
AS
*R) / (1.3 RATED BV
DSS
- V
DD
) + 1]
IF R = 0
t
AV
= (L) (I
AS
) / (1.3 RATED BV
DSS
- V
DD
)
STARTING T
J
= 25
o
C
STARTING T
J
= 150
o
C
0.1
1
10
t
P
V
GS
≤
20V
L
+
-
V
DS
V
DD
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
50
50
50V-150V
I
AS
+
-
ELECTRONIC SWITCH OPENS
WHEN I
AS
IS REACHED
CURRENT
TRANSFORMER
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
V
DS
DUT
R
GS
0V
V
GS
= 12V
V
DD
R
L
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
t
ON
FSL110D, FSL110R
相關PDF資料
PDF描述
FSL110R3 3.5A, 100V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs
FSL110R4 3.5A, 100V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs
FSL130D 8A, 100V, 0.230 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs
FSL130D1 8A, 100V, 0.230 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs
FSL130D3 8A, 100V, 0.230 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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FSL116LR 功能描述:電流型 PWM 控制器 FPS FOR LOW POWER RoHS:否 制造商:Texas Instruments 開關頻率:27 KHz 上升時間: 下降時間: 工作電源電壓:6 V to 15 V 工作電源電流:1.5 mA 輸出端數(shù)量:1 最大工作溫度:+ 105 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSSOP-14
FSL117HLNY 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
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