參數(shù)資料
型號(hào)： FSL430R3
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 2A, 500V, 2.50 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs
中文描述： 2 A, 500 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF
封裝： HERMETIC SEALED, METAL CAN, TO-205AF, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大小： 46K
代理商： FSL430R3
3-51
FIGURE 8. UNCLAMPED INDUCTIVE SWITCHING
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 9. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 10. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
FIGURE 11. RESISTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
FIGURE 12. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
10
1
0.01
0.1
1
10
t
AV
, TIME IN AVALANCHE (ms)
I
A
,
5
0.001
STARTING T
J
= 25
o
C
STARTING T
J
= 150
o
C
t
AV
= (L) (I
AS
) / (1.3 RATED BV
DSS
- V
DD
)
IF R
≠
0
t
AV
= (L/R) ln [(I
AS
*R) / (1.3 RATED BV
DSS
- V
DD
) + 1]
IF R = 0
t
P
V
GS
≤
20V
L
+
-
V
DS
V
DD
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
50
50
50V-150V
I
AS
+
-
ELECTRONIC SWITCH OPENS
WHEN I
AS
IS REACHED
CURRENT
TRANSFORMER
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
V
DS
DUT
R
GS
0V
V
GS
= 12V
V
DD
R
L
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
t
ON
FSL430D, FSL430R
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FSL430R4 2A, 500V, 2.50 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs
FSL430D 2A, 500V, 2.50 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs
FSL430R 2A, 500V, 2.50 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs
FSL9110R 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FSL9110D1 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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