型號: | FSS237 |
文件頁數(shù): | 5/8頁 |
文件大?。?/td> | 274K |
代理商: | FSS237 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FSS23AOD1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-257AA |
FSS23AOD3 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-257AA |
FSS23AOR1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-257AA |
FSS23AOR3 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-257AA |
FSS23AOR4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-257AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FSS238 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Load Switching Applications |
FSS239 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Load Switching Applications |
FSS23A0D | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:9A, 200V, 0.330 Ohm, Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs |
FSS23A0D1 | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:9A, 200V, 0.330 Ohm, Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs |
FSS23A0D3 | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:9A, 200V, 0.330 Ohm, Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs |