參數(shù)資料
型號: FT2000D
廠商: DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
英文描述: Fast Silicon Rectifiers
中文描述: 快速硅整流
文件頁數(shù): 1/2頁
文件大?。?/td> 64K
代理商: FT2000D
Periodischer Spitzenstrom
Vorlufig
T
A
= 25°C
I
FSM
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschludrhte in 10 mm Abstand von Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
1
FT 2000 A … FT 2000 G
Fast Silicon Rectifiers
Schnelle Silizium Gleichrichter
Version 2004-06-24
Nominal current – Nennstrom
20 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50…400 V
Plastic case
Kunststoffgehuse
TO-220AC
Weight approx. – Gewicht ca.
2.2 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
1/Tab = Cathode 2 = Anode
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
50
100
200
400
Surge peak reverse voltage
Stospitzensperrspannung
V
RSM
[V]
50
100
200
400
FT 2000 A
FT 2000 B
FT 2000 D
FT 2000 G
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
T
C
= 100°C
I
FAV
20 A
f > 15 Hz
I
FRM
80 A
1
)
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stostrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
T
A
= 25°C
I
FSM
375 A
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave
Stostrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
390 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
T
A
= 25°C
i
2
t
680 A
2
s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
– 50…+150°C
– 50…+175°C
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PDF描述
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