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參數(shù)資料
| 型號： | FXT450 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 1000 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 26K |
| 代理商： | FXT450 |
NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 1 SEPT 93
FEATURES
*
45 Volt V
CEO
*
1 Amp continuous current
*
P
tot
=1 Watt
REFER TO ZTX450 FOR GRAPHS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
60
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
45
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
5
V
Peak Pulse Current
I
CM
2
A
Continuous Collector Current
I
C
1
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
1
W
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
60
V
I
C
=100
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
V
CEO(SUS)
45
V
I
C
=10mA, I
B
=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5
V
I
E
=100
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
0.1
μ
A
V
CB
=45V, I
E
=0
Emitter Cut-Off Current I
EBO
0.1
μ
A
V
EB
=4V, I
C
=0
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.25
V
I
C
=150mA, I
B
=15mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
1.1
V
I
C
=150mA, I
B
=15mA*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
100
15
300
I
C
=150mA, V
=10V*
I
C
=1A, V
CE
=10V*
Transition
Frequency
f
T
150
I
=50mA, V
CE
=10V
f=100MHz
Output Capacitance
C
obo
15
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
E-Line
TO92 Compatible
FXT450
3-31
B
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXT453 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FXT705 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
| FXT749 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FXT751 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FXT753 | CONN 30POS 2MM SOCKET STR PC SMD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FXT450SM | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 1A I(C) | SO |
| FXT450STOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FXT450STOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FXT450STZ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FXT451 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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